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MJD2955

更新时间： 2024-09-14 22:33:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	94K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJD2955 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz

MJD2955 数据手册

MJD2955

MJD3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

■

STM PREFERRED SALESTYPES

SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

■

ELECTRICAL SIMILAR TO MJE2955 AND

MJE3055

APPLICATIONS

■

GENERAL PURPOSE SWITCHING AND

AMPLIFIER TRANSISTORS

DESCRIPTION

The MJD2955

complementary PNP-NPN pairs. They are

manufactured using Epitaxial Base technology for

cost-effectiveperformance.

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

and

MJD3055

form

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

NPN

PNP

MJD3055

MJD2955

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

I_B

Base Current

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

1/6

June 1998

12 3 4 5 6

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MJD2955 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJD2955T4G	ONSEMI	功能相似	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD2955G	ONSEMI	功能相似	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

与MJD2955相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD2955(TO-251)	BL Galaxy Electrical	获取价格	60V,10A,Medium Power PNP Bipolar Transistor
MJD2955(TO-252)	BL Galaxy Electrical	获取价格	60V,10A,Medium Power PNP Bipolar Transistor
MJD2955_02	STMICROELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJD2955_06	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD2955_11	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD2955-001	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD2955-001G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD2955-1	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD2955-1G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD2955G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications