5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD29CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
|
| MJD29I | FAIRCHILD |
获取价格 |
1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 |
|
| MJD29-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| MJD29-T1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| MJD29TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
|
| MJD-2V16W1P3 | SEOUL |
获取价格 |
120V 17W Downlight |
|
| MJD30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| MJD30-1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| MJD3055 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD3055 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
|
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
一文带你了解SM8760CA资料：主要参数特征
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
