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MJD30C PDF预览

MJD30C

更新时间： 2024-11-09 21:21:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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MJD30C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.87
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

MJD30C 数据手册

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MJD30/30C  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP30 and TIP30C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: MJD30  
: MJD30C  
- 40  
- 100  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: MJD30  
: MJD30C  
- 40  
- 100  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 1  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 3  
A
CP  
B
- 4  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (Ta=25°C)  
Junction Temperature  
1.56  
150  
T
T
J
Storage Temperature  
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
: MJD30  
: MJD30C  
I
= - 30mA, I = 0  
- 40  
- 100  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
: MJD30  
V
V
= - 40V, I = 0  
= - 60V, I = 0  
B
- 50  
- 50  
µA  
µA  
CE  
CE  
B
: MJD30C  
Collector Cut-off Current  
: MJD30  
V
V
= - 40V, V = 0  
= 100V, V = 0  
BE  
- 20  
- 20  
µA  
µA  
CE  
CE  
BE  
: MJD30C  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
BE  
C
h
V
V
= - 4V, I = - 0.2A  
40  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, I = - 1A  
75  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 1A, I = - 125mA  
- 0.7  
- 1.3  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= - 4A, I = - 1A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= - 10V, I = - 200mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300ms, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
1234

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与MJD30C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD30C-I FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD31 KEXIN

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD31 TYSEMI

获取价格

 		Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
MJD31 FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD31 MOTOROLA

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
MJD31 ONSEMI

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 		Complementary Power Transistors
MJD31_05 ONSEMI

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 		Complementary Power Transistors
MJD31_11 ONSEMI

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 		Complementary Power Transistors
MJD31-1 MOTOROLA

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
MJD31-1 ONSEMI

获取价格

 		3A, 40V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369-07, 3 PIN

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