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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.53 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD3055 | MOTOROLA |
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SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD3055 | FAIRCHILD |
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General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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| MJD3055 | STMICROELECTRONICS |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| MJD3055 | ONSEMI |
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Complementary Power Transistors |
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| MJD3055 | CJ |
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TO-251 |
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| MJD3055 TO-251 | BL Galaxy Electrical |
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60V,10A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| MJD3055 TO-252 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,10A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| MJD3055-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD3055G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
|
| MJD3055RLG | ONSEMI |
获取价格 |
10 A，60 V，NPN 双极功率晶体管 |
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