5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.32 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 900 ns | VCEsat-Max： | 1.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD31B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD31BT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA, TO-252, DPAK-3 |
|
| MJD31C | MCC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer Transistors |
|
| MJD31C | ONSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD31C | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD31C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
|
| MJD31C | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS |
|
| MJD31C | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction |
|
| MJD31C | KEXIN |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD31C | DIODES |
获取价格 |
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
