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MJD3055T4

更新时间： 2024-11-19 14:58:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
10页	228K
描述
Low voltage NPN power transistor

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MJD3055T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	TO-252, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	0.75	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	20 W
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	VCEsat-Max：	8 V
Base Number Matches：	1

MJD3055T4 数据手册

MJD3055T4

Datasheet

Low voltage NPN power transistor

Features

•

Surface-mounting DPAK (TO-252) power package in tape and reel

Electrically similar to MJE3055T

TAB

Application

DPAK

•

General purpose switching and amplifier

2, TAB

Description

The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The

resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low

saturation voltage.

Product status link

MJD3055T4

Product summary

Order code

Marking

MJD3055T4

MJD3055

DPAK

Package

Packing

Tape and reel

DS13694 - Rev 1 - March 2021

For further information contact your local STMicroelectronics sales office.

www.st.com

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MJD3055T4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJD3055G	ONSEMI	功能相似	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD200T4G	ONSEMI	功能相似	Complementary Plastic Power Transistors

与MJD3055T4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD3055T4G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD3055TF	ONSEMI	获取价格	暂无描述
MJD30C	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD30C	MOTOROLA	获取价格	Transistor
MJD30C-I	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD31	KEXIN	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD31	TYSEMI	获取价格	Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
MJD31	FAIRCHILD	获取价格	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD31	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
MJD31	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors