MJD31B

更新时间： 2024-02-25 07:06:25

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
5页	68K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJD31B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	15 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.2 V	Base Number Matches：	1

MJD31B 数据手册

MJD31B/31C

MJD32B/32C

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPES

SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

■

ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP31B/C AND

TIP32B/C

APPLICATIONS

■

GENERAL PURPOSE SWITCHING AND

AMPLIFIER TRANSISTORS

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

DESCRIPTION

The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and

MJD32C form complementary NPN-PNP pairs.

They are manufactured using Epitaxial Base

technology for cost-effectiveperformance.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

NPN

PNP

MJD31B

MJD32B

MJD31C

MJD32C

100

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

100

I_CM

I_B

Collector Peak Current

Base Current

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

For PNP types the values are intented negative.

1/5

May 1999

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD31BT4	STMICROELECTRONICS	获取价格	3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
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MJD31C	STMICROELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31C	FAIRCHILD	获取价格	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD31C	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
MJD31C	NEXPERIA	获取价格	100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction
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MJD31C	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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