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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD31C-1 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| MJD31C-1 | ONSEMI |
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3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3 |
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| MJD31C1G | ONSEMI |
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Complementary Power Transistors |
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| MJD31CA | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction |
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| MJD31CEITU | ONSEMI |
获取价格 |
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor |
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| MJD31CG | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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| MJD31CHE3 | MCC |
获取价格 |
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| MJD31CHQ | DIODES |
获取价格 |
NPN, 100V, 3A, TO252 |
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| MJD31CH-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction |
|
| MJD31CITU | ONSEMI |
获取价格 |
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor |
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