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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 900 ns | VCEsat-Max： | 1.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD31C(TO-251) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
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| MJD31C(TO-252) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
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| MJD31C1 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD31C1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MJD31C-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| MJD31C-1 | ONSEMI |
获取价格 |
3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3 |
|
| MJD31C1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD31CA | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction |
|
| MJD31CEITU | ONSEMI |
获取价格 |
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor |
|
| MJD31CG | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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