Datasheet > MJD31BT4

MJD31BT4

更新时间： 2024-02-01 12:04:58

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	174K
描述
3A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA, TO-252, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MJD31BT4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	15 W	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1.2 V
Base Number Matches：	1

MJD31BT4 数据手册

MJD31B/31C

MJD32B/32C

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPES

SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX "T4")

■

ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP31B/C AND

TIP32B/C

APPLICATIONS

■

GENERAL PURPOSE SWITCHING AND

AMPLIFIER TRANSISTORS

DPAK

TO-252

(Suffix "T4")

DESCRIPTION

The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and

MJD32C form complementary NPN-PNP pairs.

They are manufactured using Epitaxial Base

technology for cost-effective performance.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

NPN

PNP

MJD31B

MJD32B

MJD31C

MJD32C

100

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

100

I_CM

I_B

Collector Peak Current

Base Current

P_tot

T_stg

T_j

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

For PNP types the values are intented negative.

1/5

May 1999

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与MJD31BT4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD31C	MCC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer Transistors
MJD31C	ONSEMI	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31C	STMICROELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31C	FAIRCHILD	获取价格	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD31C	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
MJD31C	NEXPERIA	获取价格	100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction
MJD31C	KEXIN	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD31C	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MJD31C	CJ	获取价格	TO-251
MJD31C	YANGJIE	获取价格	TO-252