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MJD31C

更新时间： 2024-01-20 20:38:58
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

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MJD31C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.07外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：140 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

MJD31C 数据手册

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MJD31/31C  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP31C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: MJD31  
: MJD31C  
40  
100  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: MJDH31  
: MJD31C  
40  
100  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
EBO  
I
I
I
3
C
1
1
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.56  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
: MJD31  
: MJD31C  
I
= 30mA, I = 0  
40  
100  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
: MJD31  
V
V
= 40V, I = 0  
50  
50  
µA  
µA  
CE  
V
B
: MJD31C  
= 60V, I = 0  
B
CE  
Collector Cut-off Current  
: MJD31  
= 40V, V = 0  
20  
20  
µA  
µA  
CE  
BE  
: MJD31C  
V
= 100V, V = 0  
BE  
CE  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
BE  
C
h
V
V
= 4V, I = 1A  
25  
10  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 3A  
50  
1.2  
1.8  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 3A, I = 375mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 4A, I = 3A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 500mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
12345

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MJD31C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor
MJD31C1 ONSEMI

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 		Complementary Power Transistors
MJD31C1 MOTOROLA

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 		Transistor
MJD31C-1 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD31C-1 ONSEMI

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 		3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3
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