MJD3055

更新时间： 2024-11-05 22:33:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管放大器
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6页	94K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJD3055 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2 MHz
Base Number Matches：	1

MJD3055 数据手册

MJD2955

MJD3055

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

■

STM PREFERRED SALESTYPES

SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

■

ELECTRICAL SIMILAR TO MJE2955 AND

MJE3055

APPLICATIONS

■

GENERAL PURPOSE SWITCHING AND

AMPLIFIER TRANSISTORS

DESCRIPTION

The MJD2955

complementary PNP-NPN pairs. They are

manufactured using Epitaxial Base technology for

cost-effectiveperformance.

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

and

MJD3055

form

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

NPN

PNP

MJD3055

MJD2955

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

I_B

Base Current

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

1/6

June 1998

12 3 4 5 6

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MJD3055 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJD3055T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	Low voltage NPN power transistor
MJD200T4G	ONSEMI	功能相似	Complementary Plastic Power Transistors

与MJD3055相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD3055 TO-251	BL Galaxy Electrical	获取价格	60V,10A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MJD3055 TO-252	BL Galaxy Electrical	获取价格	60V,10A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MJD3055-1	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD3055RLG	ONSEMI	获取价格	10 A，60 V，NPN 双极功率晶体管
MJD3055T4	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD3055T4	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	Low voltage NPN power transistor
MJD3055T4G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
MJD3055TF	ONSEMI	获取价格	暂无描述