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MJD3055

更新时间： 2024-11-17 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

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MJD3055 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.12Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzBase Number Matches：1

MJD3055 数据手册

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MJD3055  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ -I “ Suffix)  
Electrically Similar to Popular MJE3055T  
DC Current Gain Specified to 10A  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
High Current Gain - Bandwidth Product:  
f = 2MHz (MIN), I = 500mA  
T
C
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
70  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
5
10  
V
I
I
A
C
Base Current  
6
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
60  
CEO  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= 30V, I = 0  
50  
2
µA  
CE  
CB  
EB  
E
= 70V, I = 0  
mA  
mA  
E
= 5V, I = 0  
0.5  
100  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= 4V, I = 4A  
20  
5
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 10A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 4A, I = 0.4A  
1.1  
8
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= 10A, I = 3.3A  
B
(on)  
* Base-Emitter ON Voltage  
V
V
= 4V, I = 4A  
1.8  
V
CE  
CE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 500mA  
2
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
1234

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