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MJD29-T1

更新时间: 2024-11-18 21:16:43
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三星 - SAMSUNG 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

MJD29-T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:15 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzVCEsat-Max:0.7 V
Base Number Matches:1

MJD29-T1 数据手册

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