5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| MJD30-1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| MJD3055 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD3055 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
|
| MJD3055 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD3055 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD3055 | CJ |
获取价格 |
TO-251 |
|
| MJD3055 TO-251 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,10A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
| MJD3055 TO-252 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,10A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
| MJD3055-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
