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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD29CI | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| MJD29CITU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic |
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| MJD29C-T1 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| MJD29CTF | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
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| MJD29I | FAIRCHILD |
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1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 |
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| MJD29-I | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| MJD29-T1 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| MJD29TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| MJD-2V16W1P3 | SEOUL |
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120V 17W Downlight |
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| MJD30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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