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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, CASE 369-07, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD2955G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
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| MJD2955RLG | ONSEMI |
获取价格 |
10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor |
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| MJD2955T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
|
| MJD2955T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD2955T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications |
|
| MJD2955TF | ONSEMI |
获取价格 |
10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor, 2000-REEL |
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| MJD29C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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| MJD29C | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
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| MJD29CI | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MJD29CITU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic |
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