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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANSG2N7394U
JANSG2N7394U PDF预览

JANSG2N7394U

更新时间： 2024-11-05 04:04:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 126K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)

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JANSG2N7394U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：283 A
认证状态：Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANSG2N7394U 数据手册

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PD-90884D  
IRHN7054  
JANSR2N7394U  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-1)  
60V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/603  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level  
RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHN7054  
IRHN3054  
100K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSR2N7394U  
300K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSF2N7394U  
IRHN4054  
IRHN8054  
500K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSG2N7394U  
1000K Rads (Si) 0.040Ω 35A JANSH2N7394U  
SMD-1  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET®  
technology provides high performance power  
MOSFETs for space applications. This technology  
has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have  
been characterized for both Total Dose and Single  
Event Effects (SEE). The combination of low Rdson  
and low gate charge reduces the power losses in  
switching applications such as DC to DC converters  
and motor control. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Surface Mount  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
35  
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
30  
283  
D
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 (5sec)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
2.6 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
05/15/06  
12345678

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与JANSG2N7394U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSG2N7431 INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 35A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 500 kra
JANSG2N7431D INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
JANSG2N7431U INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 56A, single, N-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - SMD-2, 500 krad(Si)
JANSG2N7432 ETC

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 		100V 300kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package
JANSG2N7432U ETC

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 		100V 600kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package
JANSG2N7433 INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 35A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 500 kr
JANSG2N7433U INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 27A, single, N-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - JANS Certified vers
JANSG2N7467U2 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
JANSG2N7469U2 INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 69A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-2 package - SMD-2, 300 krad(Si)
JANSG2N7469U2A INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 75A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SupIR-SMD package - SupIR-SMD, 500

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