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JANSG2N7479U3

更新时间： 2024-01-27 16:32:30
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 131K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN

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JANSG2N7479U3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.39
雪崩能效等级（Eas）：155 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/703
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSG2N7479U3 数据手册

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ꢁ
PD - 93751D  
IRHNJ57Z30  
JANSR2N7479U3  
30V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
REF: MIL5-PRF-19500/703  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHNJ57Z30 100K Rads (Si) 0.020Ω 22A* JANSR2N7479U3  
IRHNJ53Z30 300K Rads (Si) 0.020Ω 22A* JANSF2N7479U3  
IRHNJ54Z30 500K Rads (Si) 0.020Ω 22A* JANSG2N7479U3  
IRHNJ58Z30 1000K Rads (Si) 0.025Ω 22A* JANSH2N7479U3  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
Features:  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
22*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
22*  
88  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
155  
mJ  
A
AS  
I
22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.7  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/25/06  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
JANSG2N7480U3 INFINEON RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

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