是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOT-227 | 包装说明: | SOT-227B, MINIBLOC-4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 46 A | 最大漏极电流 (ID): | 46 A |
最大漏源导通电阻: | 0.16 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 700 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTN550N055T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTN550N055T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN58N50 | IXYS |
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High Current Power MOSFET | |
IXTN5N250 | LITTELFUSE |
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超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计,这类应用需要高 | |
IXTN600N04T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Di | |
IXTN600N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTN60N50L2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode | |
IXTN60N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTN61N50 | IXYS |
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High Current Power MOSFET | |
IXTN62N50L | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |