Datasheet > IXTN5N250

IXTN5N250

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	153K
描述
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高达4.5kV的阻断电压。凭借通态电压的正温度系数，这种超高电压MOSFET适合并联工作，相比串联低压MO

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTN5N250 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Base Number Matches：	1

IXTN5N250 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage Power

MOSFET w/ Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

R_DS(on)< 8.8Ω

= 2500V

= 5A

IXTN5N250

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Guaranteed FBSOA

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

2500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

I_A

T_C= 25°C

2.5

E_AS

P_D

T_C= 25°C

700

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

^zInternational Standard Package

^zMolding Epoxies Meet UL94 V-0

Flammability Classification

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

^zminiBLOC with Aluminum Nitride

Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA,

t = 1s

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

^zLow Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= 2kV, V_GS= 0V

2500

2.0

5.0

±200 nA

Applications

I_DSS

50 μA

4 mA

^zHigh Voltage Power Supplies

^zCapacitor Discharge

^zPulse Circuits

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

8.8

DS100273A(08/10)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTN5N250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTN600N04T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Di
IXTN600N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTN60N50L2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTN60N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTN61N50	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET
IXTN62N50L	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTN62N50L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTN660N04T4	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27
IXTN79N20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 79A I(D)
IXTN80N30L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正

与IXTN5N250相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTN5N250

IXTN5N250 技术参数

IXTN5N250 数据手册

与IXTN5N250相关器件

与IXTN5N250相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTN5N250

IXTN5N250 技术参数

IXTN5N250 数据手册

与IXTN5N250相关器件

与IXTN5N250相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？