生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.63 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 50 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE | 最大降落时间(tf): | 2000 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 30 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 200 W |
最大功率耗散 (Abs): | 200 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 200 ns | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 1100 ns |
标称接通时间 (ton): | 300 ns | VCEsat-Max: | 2.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH30N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGH30N60AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD | |
IXGH30N60B | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT | |
IXGH30N60B2 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGH30N60B2 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH30N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGH30N60B2D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH30N60B4 | IXYS |
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High-Gain IGBT | |
IXGH30N60BD1 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT with Diode | |
IXGH30N60BS | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |