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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 66 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 451 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 53 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXXH30N60B3D1 | IXYS |
类似代替  |
XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH30N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT with Diode |
|
| IXGH30N60BS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
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| IXGH30N60BU1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
|
| IXGH30N60BU1S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
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| IXGH30N60C2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
|
| IXGH30N60C2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH30N60C2D1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
|
| IXGH30N60C3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT |
|
| IXGH30N60C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
|
| IXGH30N60C3C1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode |
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