是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.88 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 40 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间(tf): | 1100 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 2550 ns | 标称接通时间 (ton): | 210 ns |
VCEsat-Max: | 1.8 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH32N100A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1000V IGBT | |
IXGH32N120A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1200V | |
IXGH32N120A3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH32N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT | |
IXGH32N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? | |
IXGH32N170A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT | |
IXGH32N170A | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? | |
IXGH32N50B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT | |
IXGH32N50BS | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT | |
IXGH32N50BU1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack |