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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 1100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 2550 ns | 标称接通时间 (ton)： | 210 ns |
| VCEsat-Max： | 1.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH32N100A3 | IXYS |
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GenX3 1000V IGBT |
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| IXGH32N120A3 | IXYS |
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GenX3 1200V |
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| IXGH32N120A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGH32N170 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH32N170 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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| IXGH32N170A | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH32N170A | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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| IXGH32N50B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGH32N50BS | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGH32N50BU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack |
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