型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH32N90B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Fast Diode | |
IXGH34N60B2 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGH35N120 | IXYS |
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IGBT Lightspeed Series | |
IXGH35N120B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGH35N120B | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH35N120C | IXYS |
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IGBT Lightspeed Series | |
IXGH36N60A3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGH36N60A3 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXGH36N60A3D4 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT with Diode | |
IXGH36N60A3D4 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |