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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 285K | |
描述 | ||
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.61 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH36N60A3D4 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT with Diode | |
IXGH36N60A3D4 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH36N60B3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGH36N60B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH36N60B3C1 | IXYS |
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GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode | |
IXGH36N60B3C1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH36N60B3D1 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT w/ Diode | |
IXGH36N60B3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH36N60B3D4 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGH36N60B3D4 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |