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IXGH38N60U1 PDF预览

IXGH38N60U1

更新时间： 2024-11-04 22:45:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

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IXGH38N60U1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：1100 nsJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：200 W最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1800 ns
标称接通时间 (ton)：200 nsVCEsat-Max：1.8 V
Base Number Matches：1

IXGH38N60U1 数据手册

 浏览型号IXGH38N60U1的Datasheet PDF文件第2页 
Ultra-Low VCE(sat)  
IGBT with Diode  
IXGH 38N60U1 VCES  
IC25  
= 600 V  
= 76 A  
VCE(sat) = 1.8 V  
Combi Pack  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 AD  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
76  
38  
A
A
A
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
152  
SSOA  
V
GE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
ICM = 76  
A
Features  
(RBSOA)  
Clamped inductive load, L = 100 µH  
@ 0.8 VCES  
l
PC  
TC = 25°C  
200  
W
International standard package  
JEDEC TO-247 AD  
IGBT and anti-parallel FRED in one  
package  
2nd generation HDMOSTM process  
Low VCE(sat)  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
l
TJM  
Tstg  
l
l
-55 ... +150  
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
- for minimum on-state conduction  
losses  
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Fast RecoveryEpitaxial Diode (FRED)  
- soft recovery with low IRM  
Weight  
6
g
l
l
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
l
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
l
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
l
l
l
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 750 µA, VGE = 0 V  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
600  
2.5  
V
V
5.5  
Advantages  
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
500 µA  
mA  
l
Space savings (two devices in one  
package)  
Easy to mount with 1 screw  
(isolated mounting screw hole)  
Reduces assembly time and cost  
High power density  
8
l
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
1.8  
l
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
V
l
© 1996 IXYS All rights reserved  
94528B (3/96)  
12

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IXGH38N60U1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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