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IXGH40N60

更新时间： 2024-11-04 23:15:07
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IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXGH40N60 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：250 W
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1200 ns标称接通时间 (ton)：300 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

IXGH40N60 数据手册

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VCES  
600 V 75 A 2.5 V  
IXGH/IXGM 40 N60A 600 V 75 A 3.0 V  
IC25 VCE(sat)  
Low VCE(sat) IGBT  
High speed IGBT  
IXGH/IXGM 40 N60  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-247 AD (IXGH)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C, limited by leads  
TC = 90°C  
75  
40  
A
A
A
TO-204 AE (IXGM)  
TC = 25°C, 1 ms  
150  
SSOA  
VGE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 22 Ω  
ICM = 80  
A
(RBSOA)  
Clamped inductive load, L = 30 µH  
@ 0.8 VCES  
PC  
TC = 25°C  
250  
W
C
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Features  
l
International standard packages  
2nd generation HDMOSTM process  
Low VCE(sat)  
- for low on-state conduction losses  
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
Weight  
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g  
l
l
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
l
l
- drive simplicity  
l
Voltage rating guaranteed at high  
temperature (125°C)  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Applications  
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
l
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250 µA, VGE = 0 V  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
600  
2.5  
V
V
l
l
l
l
5
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
200 µA  
mA  
1
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100 nA  
Advantages  
Easy to mount with 1 screw (TO-247)  
l
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
40N60  
40N60A  
2.5  
3.0  
V
V
(isolated mounting screw hole)  
High power density  
l
91513E (3/96)  
© 1996 IXYS All rights reserved  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH40N60A IXYS

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 		Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH40N60A3D1 IXYS

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