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IXGH40N120C3

更新时间： 2024-09-16 11:14:07
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IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 170K
描述
GenX3 1200V IGBT

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IXGH40N120C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.39
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：380 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：475 ns
标称接通时间 (ton)：52 nsBase Number Matches：1

IXGH40N120C3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TM  
VCES = 1200V  
IC110 = 40A  
VCE(sat) ≤ 4.4V  
tfi(typ) = 57ns  
GenX3 1200V IGBT  
IXGH40N120C3  
High speed PT IGBTs  
for 20 - 50 kHz switching  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
1200  
1200  
V
V
TO-247 (IXGH)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (limited by leads)  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
75  
40  
A
A
A
G
TAB  
C
E
200  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
500  
A
mJ  
G = Gate  
C
= Collector  
E = Emitter  
TAB = Collector  
SSOA  
VGE= 15V, TJ = 125°C, RG = 3Ω  
ICM = 80  
A
(RBSOA)  
Clamped inductive load @VCE≤ 1200V  
PC  
TC = 25°C  
380  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
z International standard packages:  
JEDEC TO-247AD  
-55 ... +150  
z IGBT and anti-parallel FRED in one  
package  
Md  
Mounting torque  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
TL  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
TSOLD  
Weight  
6
g
Applications  
z
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
z
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Switch-mode and resonant-mode  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
power supplies  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
1200  
3.0  
V
V
5.0  
ICES  
VCE = VCES  
VGE = 0V  
75 μA  
1.5 mA  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100  
4.4  
nA  
VCE(sat)  
IC  
= 30A, VGE = 15V, Note 1  
V
V
2.7  
DS99997(06/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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