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IXGH48N60A3

更新时间： 2024-11-19 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 262K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGH48N60A3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
Base Number Matches：1

IXGH48N60A3 数据手册

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GenX3TM 600V  
IGBTs  
IXGA48N60A3  
IXGP48N60A3  
IXGH48N60A3  
VCES = 600V  
IC110 = 48A  
VCE(sat) ≤ 1.35V  
Ultra Low Vsat PT IGBTs for  
up to 5kHz switching  
TO-263 (IXGA)  
G
E
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
C (Tab)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TO-220 (IXGP)  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
IC25  
IC110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
120  
48  
A
A
C
C (Tab)  
E
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
300  
A
TO-247 (IXGH)  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω  
ICM = 96  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE ≤ VCES  
PC  
TC = 25°C  
300  
W
G
C
E
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
C (Tab)  
-55 ... +150  
G = Gate  
C
= Collector  
E = Emitter  
Tab = Collector  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb.  
Nm/lb.in.  
Features  
z
Optimized for Low Conduction Losses  
Square RBSOA  
High Current Handling Capability  
International Standard Packages  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
z
z
z
Advantages  
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Applications  
5.5  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
25 μA  
z
z
TJ = 125°C  
250 μA  
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±100 nA  
z
z
VCE(sat)  
IC = 32A, VGE = 15V, Note 1  
1.18  
1.35  
V
z
z
z
Inrush Current Protection Circuits  
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS99581D(03/12)  
1234567

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与IXGH48N60A3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH48N60A3D1 IXYS

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 		600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGH48N60A3D1 LITTELFUSE

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 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGH48N60B3 IXYS

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 		GenX3 600V IGBT
IXGH48N60B3 LITTELFUSE

获取价格

 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60B3C1 IXYS

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 		GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGH48N60B3C1 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60B3D1 IXYS

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 		GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH48N60B3D1 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60C3 IXYS

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 		GenX3 600V IGBT
IXGH48N60C3 LITTELFUSE

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 		GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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