Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH40N30BD1

IXGH40N30BD1

更新时间： 2024-11-05 23:15:07

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IXYS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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4页	112K
描述
HiPerFASTTM IGBT

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IXGH40N30BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	230 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	90 ns
标称接通时间 (ton)：	25 ns	Base Number Matches：	1

IXGH40N30BD1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH40N30BD1

V_CES= 300 V

I_C2560 A

V_CE(sat)= 2.4 V

t_fi

= 75 ns

TO-247 AD

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

160

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 30 mH

I_CM= 80

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

200

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• High current IGBT and paralled FRED

in one package

• Low leakage current FRED

• Newest generation HDMOS^TM

process

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

300

2.5

Advantages

• High power density (two devices in

onepackage)

• Switching speed for high frequency

applications

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.4

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97508C(6/98)

1 - 4

12 3 4

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与IXGH40N30BD1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH40N30BD1S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 300V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH40N30BS	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH40N30S	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH40N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247
IXGH40N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247
IXGH40N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH40N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH40N60A3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IXGH40N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH40N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT

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