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IXGH48N60B3C1

更新时间： 2024-11-19 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 263K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。 由于兼具

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IXGH48N60B3C1 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
Base Number Matches：1

IXGH48N60B3C1 数据手册

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Preliminary Technical Information  
GenX3TM 600V IGBT  
w/ SiC Anti-Parallel  
Diode  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 48A  
≤ 1.8V  
= 116ns  
IXGH48N60B3C1  
Medium Speed Low Vsat PT  
IGBT 5 - 40 kHz Switching  
TO-247  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TC = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
G
C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
( TAB )  
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
IC25  
IC110  
TC = 25°C (Limited by Leads)  
TC = 110°C  
75  
48  
A
A
TAB = Collector  
IF110  
ICM  
TC = 110°C  
20  
A
A
TC = 25°C, 1ms  
280  
SSOA  
V
GE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω  
ICM = 120  
A
Features  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@ ≤ VCES  
z Optimized for Low Conduction and  
Switching Losses  
PC  
TC = 25°C  
300  
W
z Square RBSOA  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z Anti-Parallel Schottky Diode  
z International Standard Package  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
TSOLD  
z High Power Density  
z Low Gate Drive Requirement  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Weight  
Applications  
Symbol Test Conditions  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Characteristic Values  
z Power Inverters  
z UPS  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
600  
3.0  
V
z Motor Drives  
z SMPS  
5.0  
V
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
ICES  
VCE = VCES, VGE = 0V  
50 μA  
1.75 mA  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 32A, VGE = 15V, Note 1  
1.8  
V
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100140A(06/09)  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH48N60B3D1 IXYS

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 		GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH48N60B3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
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