Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH48N60B3C1

IXGH48N60B3C1

更新时间： 2024-11-05 05:39:55

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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6页	186K
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GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

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IXGH48N60B3C1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.34	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	200 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	347 ns
标称接通时间 (ton)：	48 ns	Base Number Matches：	1

IXGH48N60B3C1 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

w/ SiC Anti-Parallel

Diode

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 48A

≤ 1.8V

= 116ns

IXGH48N60B3C1

Medium Speed Low Vsat PT

IGBT 5 - 40 kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

( TAB )

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

G = Gate

E = Emitter

= Collector

I_C25

I_C110

T_C= 25°C (Limited by Leads)

T_C= 110°C

TAB = Collector

I_F110

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

280

SSOA

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 120

Features

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ ≤ V_CES

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

P_C

T_C= 25°C

300

^zSquare RBSOA

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zAnti-Parallel Schottky Diode

^zInternational Standard Package

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

T_SOLD

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

^zMotor Drives

^zSMPS

5.0

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

I_CES

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

50 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 32A, V_GE= 15V, Note 1

1.8

DS100140A(06/09)

12 3 4 5 6

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IXGH48N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60C3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
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IXGH4N250C	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH4N250C	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA

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