Datasheet > IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1

更新时间： 2024-11-05 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	202K
描述
GenX3 600V IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGH48N60C3D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	4.52
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	187 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns

IXGH48N60C3D1 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

with Diode

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 48A

≤ 2.5V

= 38ns

IXGH48N60C3D1

High speed PT IGBT for

40-100kHz Switching

TO-247

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

I_C25

Continuous

±20

±30

Transient

( TAB )

T_C= 25°C (Limited by Leads)

T_C= 110°C

I_C110

I_D110

I_CM

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_C= 110°C

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1ms

T_C= 25°C

250

I_A

E_AS

T_C= 25°C

300

Features

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

I_CM= 100

@V_CE< 600

300

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zFast Switching

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

^zAvalanche Rated

-55 ... +150

^zInternational Standard Package

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

T_SOLD

Advantages

F_C

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Weight

Applications

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zMotor Drives

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

V_GE(th)I_C= 250μA, V_CE= V_GE

I_CES

Min.

Typ.

Max.

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

3.0

5.5

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

300 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C

= 30A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

2.3

1.8

2.5

DS99945A(01/09)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

IXGH48N60C3D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRGP4078D-EPBF	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT S

与IXGH48N60C3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH4N250C	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH4N250C	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH50N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH50N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH50N50B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247AD
IXGH50N50BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
IXGH50N60A	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IXGH50N60AS	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IXGH50N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH50N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs

与IXGH48N60C3D1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1 技术参数

IXGH48N60C3D1 数据手册

IXGH48N60C3D1 替代型号

与IXGH48N60C3D1相关器件

与IXGH48N60C3D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1 技术参数

IXGH48N60C3D1 数据手册

IXGH48N60C3D1 替代型号

与IXGH48N60C3D1相关器件

与IXGH48N60C3D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？