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IXGH48N60C3D1

更新时间： 2024-09-16 11:14:11

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	202K
描述
GenX3 600V IGBT with Diode

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IXGH48N60C3D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	4.52
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	187 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns

IXGH48N60C3D1 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

with Diode

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 48A

≤ 2.5V

= 38ns

IXGH48N60C3D1

High speed PT IGBT for

40-100kHz Switching

TO-247

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

I_C25

Continuous

±20

±30

Transient

( TAB )

T_C= 25°C (Limited by Leads)

T_C= 110°C

I_C110

I_D110

I_CM

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_C= 110°C

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1ms

T_C= 25°C

250

I_A

E_AS

T_C= 25°C

300

Features

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

I_CM= 100

@V_CE< 600

300

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zFast Switching

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

^zAvalanche Rated

-55 ... +150

^zInternational Standard Package

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

T_SOLD

Advantages

F_C

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Weight

Applications

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zMotor Drives

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

V_GE(th)I_C= 250μA, V_CE= V_GE

I_CES

Min.

Typ.

Max.

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

3.0

5.5

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

300 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C

= 30A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

2.3

1.8

2.5

DS99945A(01/09)

12 3 4 5 6 7

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IXGH48N60C3D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRGP4078D-EPBF	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT S

与IXGH48N60C3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH4N250C	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH4N250C	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH50N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH50N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH50N50B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247AD
IXGH50N50BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
IXGH50N60A	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IXGH50N60AS	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IXGH50N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH50N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs

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