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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247SMD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | FAST | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 200 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 250 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 880 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 290 ns | VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH50N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGH50N60B2 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs |
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| IXGH50N60B4 | IXYS |
获取价格 |
High-Gain IGBTs |
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| IXGH50N60B4D1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| IXGH50N60BS | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD |
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| IXGH50N60C2 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT C2-Class High Speed IGBTs |
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| IXGH50N60C4 | IXYS |
获取价格 |
High-Gain IGBTs |
|
| IXGH50N90B2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs |
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| IXGH50N90B2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH50N90B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Fast Diode |
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