是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | TO-247AD, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 75 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 550 ns |
标称接通时间 (ton): | 64 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXGH72N60B3 | IXYS |
类似代替 |
GenX3 B3-Class IGBTs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH60N60C2 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs | |
IXGH60N60C2 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH60N60C3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGH60N60C3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH60N60C3D1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGH60N60C3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH64N60A3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGH64N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH64N60B3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT | |
IXGH64N60B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |