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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W | 最大上升时间（tr）： | 200 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXGH60N60B2 | IXYS | Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching |
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| IXGH60N60C2 | IXYS | HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBTs |
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| IXGH60N60C2 | LITTELFUSE | GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH60N60C3 | IXYS | GenX3 600V IGBT |
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| IXGH60N60C3 | LITTELFUSE | GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH60N60C3D1 | IXYS | 600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications |
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