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IXGH50N60C4 PDF预览

IXGH50N60C4

更新时间： 2024-09-16 11:14:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 217K
描述
High-Gain IGBTs

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IXGH50N60C4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：90 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：306 ns标称接通时间 (ton)：75 ns

IXGH50N60C4 数据手册

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VCES = 600V  
IC110 = 36A  
VCE(sat) ≤ 2.50V  
High-Gain IGBTs  
IXGA50N60C4  
IXGP50N60C4  
IXGH50N60C4  
TO-263 AA (IXGA)  
High-Speed PT Trench IGBT  
G
E
C (Tab)  
TO-220AB (IXGP)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
C (Tab)  
E
IC25  
IC110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
90  
36  
A
A
TO-247 (IXGH)  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
220  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10Ω  
ICM = 72  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE ≤ VCES  
G
PC  
TC = 25°C  
290  
W
C
E
C (Tab)  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Emitter  
D
= Collector  
Tab = Collector  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb.  
Nm/lb.in.  
Features  
z Optimized for Low Switching Losses  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
z
International Standard Packages  
z Square RBSOA  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z Easy to Mount  
z Space Savings  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified  
Min.  
600  
4.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
Applications  
25 μA  
mA  
±100 nA  
z Power Inverters  
z UPS  
z Motor Drives  
z SMPS  
z PFC Circuits  
z Battery Chargers  
z Lamp Ballasts  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
1
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
VCE(sat)  
IC = 36A, VGE = 15V, Note 1  
1.95  
1.65  
2.50  
V
V
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100298B(04/11)  
123456

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IXGH50N60C4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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