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IXGH60N60C3

更新时间： 2024-09-16 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	241K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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IXGH60N60C3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXGH60N60C3 数据手册

GenX3^TM600V

IGBT

V_CES= 600V

I_C110= 60A

V_CE(sat)≤ 2.5V

t_{fi (typ)}= 50ns

IXGH60N60C3

High Speed PT IGBT for

40-100kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (Limited by Leads)

T_C= 110°C

G = Gate

Collector

Tab = Collector

E = Emitter

T_C= 25°C, 1ms

360

I_A

T_C= 25°C

E_AS

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

I_CM= 125

Features

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

P_C

T_C= 25°C

380

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

^zAvalanche rated

^zInternational Standard Package

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Weight

Applications

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

5.5

50 μA

1 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 40A, V_GE= 15V

2.2

1.7

2.5

DS99928B(01/10)

12 3 4 5 6 7

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