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IXGH56N60B3

更新时间： 2024-11-01 11:14:11

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IXYS		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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6页	180K
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GenX3 600V IGBT

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IXGH56N60B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	130 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	165 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	330 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	385 ns	标称接通时间 (ton)：	63 ns
Base Number Matches：	1

IXGH56N60B3 数据手册

Advance Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

V_CES= 600V

I_C110= 56A

V_CE(sat)≤ 1.80V

IXGH56N60B3

Medium-Speed Low Vsat PT

IGBT 5 - 40 kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

(TAB)

V_GES

Continuous

Transient

± 20

± 30

V_GEM

G = Gate

E = Emitter

= Collector

I_C25

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

130

TAB = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

350

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

Clamped Inductive Load

= 150

V^C_C^M_E≤ V_CES

Features

P_d

T_C= 25°C

330

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

°C

^zSquare RBSOA

- 40 ... +150

^zInternational Standard Package

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Weight

Applications

^zPower Inverters

^zUPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zMotor Drives

^zSMPS

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

5.0

50 μA

500 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 44A, V_GE= 15V, Note 1

1.49

1.47

1.80

DS100175(08/09)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH56N60B3D1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGH56N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH60N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGH60N30C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH60N50	IXYS	获取价格	HIGH CURRENT MOSIGBT
IXGH60N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247
IXGH60N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH60N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247
IXGH60N60B2	IXYS	获取价格	Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
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