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IXGH56N60A3

更新时间： 2024-09-16 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	176K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGH56N60A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	550 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	330 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	910 ns	标称接通时间 (ton)：	66 ns
Base Number Matches：	1

IXGH56N60A3 数据手册

Advance Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

V_CES= 600V

I_C110= 56A

V_CE(sat)≤ 1.35V

IXGH56N60A3

Ultra-Low Vsat PT IGBT for up to

5 kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

(TAB)

V_GES

Continuous

Transient

± 20

± 30

V_GEM

G = Gate

E = Emitter

= Collector

I_C25

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

150

TAB = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

370

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ 0.8 • V_CES

P_d

T_C= 25°C

330

Features

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

°C

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zInternational Standard Package

- 40 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Weight

Applications

^zPower Inverters

^zUPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zMotor Drives

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

5.0

50 μA

500 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 44A, V_GE= 15V, Note 1

1.22

1.35

DS100174(08/09)

12 3 4 5 6

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IXGH56N60A3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH50N60A	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT - Surface Mountable
IXGH41N60	IXYS	类似代替	Ultra-Low VCE(sat) IGBT

与IXGH56N60A3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH56N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH56N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH56N60B3D1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGH56N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH60N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGH60N30C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH60N50	IXYS	获取价格	HIGH CURRENT MOSIGBT
IXGH60N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247
IXGH60N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH60N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247

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