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IXGH56N60B3D1

更新时间： 2023-12-06 20:13:12

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	262K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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GenX3^TM600V IGBT

w/ Diode

V_CES= 600V

I_C110= 56A

V_CE(sat) 1.80V

IXGH56N60B3D1

Medium-Speed-Low-Vsat PT

IGBT 5-40kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

600

V

V

G

C

Tab

=

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

E

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

G = Gate

C

Collector

E = Emitter

Tab = Collector

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

56

350

A

A

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5

I_CM= 150

A

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

330

W

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

^Optimized for Low Conduction and

Switching losses

-55 ... +150

^Square RBSOA

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

^Anti-Parallel Ultra Fast Diode

^International Standard Package

M_d

Mounting Torque

1.13/10

6

Nm/lb.in.

g

Advantages

Weight

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Applications

^Power Inverters

^UPS

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^Motor Drives

^SMPS

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

300 μA

T_J= 125°C

T_J= 125°C

2 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 44A, V_GE= 15V, Note 1

1.49

1.47

1.80

V

V

© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS99940B(02/14)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGH60N30C3	IXYS	GenX3 300V IGBT	获取价格
IXGH60N30C3	LITTELFUSE	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30	获取价格
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IXGH60N60A	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247	获取价格

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