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IXGH50N60B4

更新时间： 2024-11-01 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	220K
描述
High-Gain IGBTs

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IXGH50N60B4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	500 ns
标称接通时间 (ton)：	76 ns	Base Number Matches：	1

IXGH50N60B4 数据手册

Preliminary Technical Information

V_CES= 600V

I_C110= 36A

V_CE(sat)≤ 1.80V

High-Gain IGBTs

IXGA50N60B4

IXGP50N60B4

IXGH50N60B4

TO-263 AA (IXGA)

Low-Vsat PT Trench IGBT

C (Tab)

TO-220AB (IXGP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

100

TO-247 (IXGH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

230

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 72

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

290

C (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Emitter

= Collector

Tab = Collector

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

Optimized for Low Conduction and

Switching Losses

International Standard Packages

Square RBSOA

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

600

4.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

6.5

Applications

25 μA

±100 nA

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.43

1.40

1.80

DS100319A(04/11)

12 3 4 5 6

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与IXGH50N60B4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH50N60B4D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXGH50N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
IXGH50N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGH50N60C4	IXYS	获取价格	High-Gain IGBTs
IXGH50N90B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGH50N90B2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH50N90B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGH50N90B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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IXGH56N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对

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