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IXGH64N60A3

更新时间： 2024-04-09 18:40:57

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管局域网开关瞄准线双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
7页	268K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

IXGH64N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 64A

V_CE(sat)≤ 1.35V

IXGT64N60A3*

*Obsolete Part Number

Ultra-lowVsat PT IGBTs for up to

5 kHz switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

600

V

V

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

V

V

G

C (TAB)

C

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

64

A

A

E

T_C= 25°C, 1ms

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600V

I_CM= 100

A

TO-268 (IXGT)

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

460

W

G

E

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

T_JM

T_stg

C (TAB)

-55 ... +150

G = Gate

E = Emitter

C

= Collector

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

°C

TAB = Collector

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

6

5

g

g

^zOptimized for low conduction losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

V

V

^zPower Inverters

^zUPS

3.0

5.0

^zMotor Drives

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

50 μA

^zSMPS

^zPFC Circuits

T_J= 125°C

500 μA

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

1.20

1.35

V

© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved

DS100003(06/08)

12 3 4 5 6 7

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与IXGH64N60A3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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