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IXGH64N60A3

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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IXYS		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
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GenX3 600V IGBT

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IXGH64N60A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	64 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	777 ns
标称接通时间 (ton)：	65 ns	Base Number Matches：	1

IXGH64N60A3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

IXGH64N60A3

IXGT64N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 64A

V_CE(sat)≤ 1.35V

Ultra-lowVsat PT IGBTs for up to

5 kHz switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600V

I_CM= 100

TO-268 (IXGT)

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

460

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

C (TAB)

-55 ... +150

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

TAB = Collector

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

^zOptimized for low conduction losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

^zPower Inverters

^zUPS

3.0

5.0

^zMotor Drives

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

50 μA

^zSMPS

^zPFC Circuits

T_J= 125°C

500 μA

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

1.20

1.35

DS100003(06/08)

12 3 4 5 6

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