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IXGK120N60A3

更新时间： 2024-11-05 12:20:15

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	219K
描述
GenX3 A3-Class IGBTS

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IXGK120N60A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	TO-264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	780 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	830 ns
标称接通时间 (ton)：	123 ns	Base Number Matches：	1

IXGK120N60A3 数据手册

GenX3^TMA3-Class

IGBTS

IXGK120N60A3

IXGX120N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 120A

V_CE(sat)≤ 1.35V

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 5kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

600

±20

±30

V_CGR

(TAB)

V_GES

V_GEM

Transient

I_C25

T_C= 25°C

200

120

PLUS 247^TM(IXGX)

I_C110

I_LRMS

I_CM

T_C= 110°C

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

600

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1.5Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

@ < 600

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

780

T_J

T_JM

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_stg

-55 ... +150

°C

TAB = Collector

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

Features

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zSquare RBSOA

^zHigh Current Handling Capability

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 500μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

Applications

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

50 μA

T_J= 125°C

1.25 mA

^zPower Inverters

^zUPS

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±400 nA

^zMotor Drives

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

1.20 1.35

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

DS99964A(02/09)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK120N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK120N60B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK120N60B_10	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs
IXGK120N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBTs
IXGK120N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK120N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed 2 Series
IXGK210N30PCT1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264AA
IXGK28N140B3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
IXGK28N140B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK320N60A3	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBTs

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