Datasheet > IXGK320N60A3

IXGK320N60A3

更新时间： 2024-11-22 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	277K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGK320N60A3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

IXGK320N60A3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

V_CES= 600V

I_C110= 210A

V_CE(sat) 1.30V

IXGK320N60A3

IXGX320N60A3

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 5kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

Continuous

Maximum Ratings

600

±20

±30

V_CGR

V_GES

Tab

V_GEM

Transient

PLUS247 (IXGX)

I_C25

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

320

210

160

700

I_C110

I_LRMS

I_CM

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1

Clamped Inductive Load

I_CM= 320

@ 0.8 • V_CES

Tab

P_C

T_C= 25°C

1000

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

C = Collector

= Emitter

Tab = Collector

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

Features

M_d

F_C

Mounting Torque (IXGK)

Mounting Force (IXGX)

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in

N/lb

^Optimized for Low Conduction Losses

^High Avalanche Capability

^International Standard Packages

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

600

^Power Inverters

^UPS

3.0

5.5

^Motor Drives

150 μA

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

^Inrush Current Protection Circuits

T_J= 125°C

1.5 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±400 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 320A

1.05 1.30

1.46

DS99583D(04/14)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXGK320N60A3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK320N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBTs
IXGK320N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK35N120B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK35N120B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK35N120BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK35N120C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK35N120CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK400N30A3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBTs
IXGK400N30A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGK50N120C3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs w/ Diode

与IXGK320N60A3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK320N60A3

IXGK320N60A3 技术参数

IXGK320N60A3 数据手册

与IXGK320N60A3相关器件

与IXGK320N60A3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK320N60A3

IXGK320N60A3 技术参数

IXGK320N60A3 数据手册

与IXGK320N60A3相关器件

与IXGK320N60A3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？