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IXGK210N30PCT1

更新时间： 2024-11-05 19:58:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	138K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN

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IXGK210N30PCT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	210 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN FET	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	378 ns	标称接通时间 (ton)：	155 ns
Base Number Matches：	1

IXGK210N30PCT1 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMHigh Speed

IGBT + Polar^TMMOSFET

in Parallel

IXGK 210N30PCT1

V_CES

I_C25

= 300 V

= 210 A

V_CE(sat)≤ 1.6 V

For PDP Applications

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264 AA

(IXGK)

T_J= 25°C to 150°C

300

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

T_C= 25°C

210

136

400

(TAB)

I_C90

T_C= 90°C

T_J≤ 150°C, tp < 300 µs

Lead current limit

I_CM

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAb = Collector

I_C(RMS)

Features

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 150°C, R_G= 20 Ω

I_CM= 160

•MOSFET+IGBT in parallel for enhanced

•^pV^ee^rfr^oy^rmlow^and^cy^en^,a^um^siiⁿc^gtu^srn^treOⁿN^gtV^hsolt^oa^fg^be^oa^thnd

(RBSOA)

Clamped inductive load, V_CE< 300 V

P_C

T_C= 25°C

595

T_J

-55 ... +150

150

°C

faster turn on

T_JM

T_stg

•International standard package

•Low V_CE(sat)

-55 ... +150

- for minimum on-state conduction

losses

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

•MOS Gate turn-on

- drive simplicity

M_d

Mounting torque

0.9/6 Nm/lb.in.

Weight

Applications

•PDP Screen Drivers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

•AC motor speed control

•DC servo and robot drives

•DC choppers

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 4 mA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

•Uninterruptible power supplies (UPS)

•Switch-mode and resonant-mode

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

200

•C^poa^wpa^ec^rit^so^ur^pd^pi^ls^iec^sharge

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

V_GE= 15V, I_C= 80 A

100

V_CE(sat)

1.22

1.25

1.63

1.81

1.46

T_J= 125°C

I_C= 160 A

DS99410(06/05)

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