Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGK120N60B

IXGK120N60B

更新时间： 2024-11-04 22:11:51

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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2页	49K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGK120N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	280 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	560 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	540 ns
标称接通时间 (ton)：	120 ns	Base Number Matches：	1

IXGK120N60B 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

IXGK 120N60B

IXGX 120N60B

V_CES= 600 V

I_C25= 200 A

V_CE(sat)= 2.1 V

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

PLUS247^TM

(IXGX)

V_CES

V_CGR

T_J= 25 °C to 150 °C

T_J= 25 °C to 150 °C; R_GS= 1 MW

600

V_CES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_L(RMS)

I_CM

T_C= 25 °C

T_C= 90 °C

Externalleadlimit

T_C= 25°C, 1 ms

200

120

TO-264 AA

(IXGK)

300

SSOA

_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 2.4 W

I_CM= 200

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

G = Gate

E = Emitter

TAB = Collector

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

C = Collector

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

• Internationalstandardpackages

• Very high current, fast switching IGBT

• Low V_CE(sat)

Weight

PLUS 247

TO-264

- forminimumon-stateconduction

losses

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

Applications

Symbol

BV_CES

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

min. typ. max.

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 1 mA, V_CE= V_GE

600

V_GE(th)

I_CES

2.5

5.5

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

Advantages

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±400 nA

• Space savings

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

2.1 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98602(3/99)

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