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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 205K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用:? | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.37 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 600 ns | 标称接通时间 (ton)： | 85 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH6N170A | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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| IXGH6N170A | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用:? |
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| IXGH6N170A_09 | IXYS |
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High Voltage IGBTs |
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| IXGH72N60A3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT |
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| IXGH72N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGH72N60B3 | IXYS |
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GenX3 B3-Class IGBTs |
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| IXGH72N60B3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH72N60C3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT |
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| IXGH72N60C3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH80N40B2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
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